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電路設計中如何防止靜電放電?
電路設計中如何防止靜電放電?
我們的手都曾有過(guò)靜電放電(ESD)的體驗,即使只是從地毯上走過(guò)然后觸摸某些金屬部件也會(huì )在瞬間釋放積累起來(lái)的靜電。我們許多人都曾抱怨在實(shí)驗室中使用導電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來(lái)滿(mǎn)足工業(yè)ESD標準。我們中也有不少人曾經(jīng)因為粗心大意使用未受保護的電路而損毀昂貴的電子元件。
對某些人來(lái)說(shuō)ESD是一種挑戰,因為需要在處理和組裝未受保護的電子元件時(shí)不能造成任何損壞。這是一種電路設計挑戰,因為需要保證系統承受住ESD的沖擊,之后仍能正常工作,更好的情況是經(jīng)過(guò)ESD事件后不發(fā)生用戶(hù)可覺(jué)察的故障。
簡(jiǎn)單模型
圖1:板級ESD通常涉及機器模型(MM)和人體模型(HBM)。
破壞受損電路的高瞬態(tài)電壓一般具有幾個(gè)納秒的上升時(shí)間和大約100納秒的放電時(shí)間受損電路不同,對正負沖擊的敏感性可能也有很大的不同,因此你需要同時(shí)處理好正負沖擊。人體模型(HMB)和機器模型(MM)這兩種*常見(jiàn)模型之間的區別主要在于串聯(lián)電阻。人體模型的導電性沒(méi)有金屬那么好。
防止過(guò)壓損壞的*佳保護措施是用非線(xiàn)性電路進(jìn)行限壓或鉗位(圖2)。*常用的是專(zhuān)門(mén)的二極管,當它們在前向偏置或處于齊納擊穿區時(shí)具有很低的阻抗。引入限壓器可以快速引起某些別的事件,因為通過(guò)電容放電會(huì )有大的浪涌電流經(jīng)過(guò)限壓器。
圖2:基本的限壓電路可以防止過(guò)壓損壞
雖然消除了高瞬態(tài)電壓,但代之以幾個(gè)安培的浪涌電流可能會(huì )導致系統中出現其它問(wèn)題。具體取決于隨后路徑的總阻抗,浪涌電流可以達到幾個(gè)安培。在為芯片設計 I/O單元時(shí),經(jīng)??吹?/span>4A至16A的浪涌電流進(jìn)入器件。處理如此巨大的瞬態(tài)浪涌電流已經(jīng)成為ESD設計中的大問(wèn)題。限制電壓還算比較容易,但形成的電流可能使系統中其它地方的電路和地發(fā)生逆轉。
被限壓器強制導入地的電流將在系統的那個(gè)節點(diǎn)中產(chǎn)生感應性振鈴現象(圖3)。電源通常沿著(zhù)地線(xiàn)傳播,并且是電源去耦電容的函數,因此系統核心仍能正常工作。不過(guò)連到電路板上的控制線(xiàn)可能出現混亂,因為它們是相對板外的地而建立的。結果可能在某個(gè)位置發(fā)生ESD事件,并致使電路板上的某個(gè)輸入端看起來(lái)出現故障。
圖3:通過(guò)限壓器將大的浪涌電流注入到地將引起PCB地的反彈,并表現為連接電感的一個(gè)函數
堡壘的作用
電路設計人員通常沒(méi)法控制建造城墻的材料,但對保護堡壘負有不可推卸的責任。在設計外殼時(shí)需要注意,到達機箱外部任何部分的ESD都會(huì )有無(wú)數路徑進(jìn)入內部電路。
建立一個(gè)PCB能夠自我防止ESD沖擊的堡壘可以從低阻抗的接地方法開(kāi)始。建立一個(gè)地基和正常的電源完整性可以讓印刷電路板(PCB)保持整個(gè)板上的信號完整性,即使是受到巨大的地浪涌電流沖擊的時(shí)候。
作為一個(gè)設計工程師,你會(huì )要求每個(gè)人系好他們的**帶,這樣可以對付少量的氣流。飛機可能快速地上下擺動(dòng),但如果每個(gè)人都系好了**帶,那么所有人都會(huì )固定在原位,飛機也會(huì )繼續飛行。在這之后,你需要保護外部連接,并限制ESD事件效應。
保護電路應該位于電路板入口位置,而不是入口點(diǎn)的下游。需要處理的可能是電弧問(wèn)題引起的數千伏電位,或者*好在電路板邊緣位置處理的數安培的浪涌電流。
TVS限壓器
瞬態(tài)電壓抑制(TVS)限制二極管可以用作限壓器。它們分為普通電壓、邏輯電平和電源電壓。常見(jiàn)的電壓種類(lèi)有:12V、5V、3.3V、2.5V、1.8V和1.2V。
現代CMOS工藝顯著(zhù)降低了電源電壓,以保護沒(méi)有很多設計余量且電壓范圍有限的晶體管,這點(diǎn)值得我們尊敬。這些器件一般使用代工工藝制造,這種代工工藝可以用小型封裝提供具有低阻抗特性的大電流器件。
在輸入線(xiàn)上放置TVS限壓器可以保護輸入端免遭ESD的破壞性損害(圖4)。但這種限壓器無(wú)法處理在主機處理時(shí)發(fā)生的信號混亂現象,也無(wú)法處理由于巨大的地電流浪涌而發(fā)生的逆轉效應。
圖4:簡(jiǎn)單的限壓電壓可以提供過(guò)壓保護,但可能導致浪涌電流問(wèn)題。浪涌電流應該被限制,而信號應該保持相對局部地的穩定性
如前所述,HBM和MM之間的性能區別是非常大的。在許多情況下,在TVS器件之前增加一些串聯(lián)電阻有助于限制電流浪涌,并減少地線(xiàn)反彈。與HBM一樣,*終結果是減少系統應力。
通常帶寬限制本身不會(huì )解決ESD問(wèn)題。低通濾波器對小型ESD的衰減也要求60dB至150dB才能消除瞬態(tài)電壓,這對簡(jiǎn)單的無(wú)源濾波器來(lái)說(shuō)是很難做到的。TVS限壓器可以將信號下拉到電源軌之間。
然后一階RC電路可以用來(lái)保持信號的完整性(圖4)。電容也可以穩定相對于局部地的輸入電壓。這種方法可以很好地保護數量很多的低帶寬輸入,包括“設置并忘記的”控制線(xiàn)、傳感器輸入和類(lèi)似對象。
雖然我們討論的大部分內容是保護PCB的輸入端口,但輸出端口保護也是類(lèi)似的。TVS限壓器和附加電阻在這里也很合適。限制電壓有助于防止半導體損壞,并保護具有電壓限制的其它部件。
串聯(lián)電阻也有助于地的穩定。此外,讓ESD浪涌電流遠離數字芯片的I/O單元可以防止芯片內部出現地線(xiàn)反彈,從而允許處理器在外部限壓器吸收浪涌電流沖擊時(shí)保持正常工作。
芯片內部的ESD
基于多種原因,IC內部的ESD保護功能有些折衷。硅片和金屬都針對IC的核心功能作了優(yōu)化,不適合用于大電流工作。專(zhuān)門(mén)的TVS器件使用針對大電流電路優(yōu)化過(guò)的硅片,具有比普通CMOS中的PN結更高的性能。
作為一般經(jīng)驗,芯片內部的ESD保護程度只是足以完成IC生產(chǎn)并焊接到PCB上,但缺少應用環(huán)境通常需要的魯棒性保護性能。如果連接需要離開(kāi)PCB,通常需要利用外部裝置進(jìn)行進(jìn)一步的保護。
數據通信端口
由于ESD事件持續時(shí)間不到100ns,因此CRC檢查、驗證和重新發(fā)送過(guò)程通常以不可見(jiàn)的方式處理ESD。*終用戶(hù)一般從未意識到損壞的信息得到了糾正。其它一些協(xié)議的結構中沒(méi)有保護措施。
大多數現代通信路徑采用差分方式,即使用某種形式的低壓差分信號(LVDS)。每個(gè)LVDS連接需要像所有其它信號一樣受到TVS保護。磁場(chǎng)隔離(以太網(wǎng)常用)和共模扼流圈有助于解決由于ESD事件中的地線(xiàn)反彈產(chǎn)生的共模變化問(wèn)題。在輸入信號與PCB不共享同一個(gè)地時(shí),應該采取光學(xué)隔離或磁場(chǎng)隔離措施。
要求完善的數據完整性但不包含誤碼檢查的高速數據流在防止ESD沖擊方面難度特別大。理解器件如何提供高于1GB/s的串行數據速率和完整的通信協(xié)議保護可以避免這個(gè)問(wèn)題。
一般來(lái)說(shuō),你需要在處理器代碼中編入一些智能,以便它能識別錯誤的信息并進(jìn)行正確的處理。通過(guò)時(shí)分輪詢(xún)端口可以方便地解決慢速檢測和控制線(xiàn)問(wèn)題。由于ESD事件非常短暫,如果對幾個(gè)毫秒內的多個(gè)樣本來(lái)說(shuō)端口上的數據保持穩定,那么系統就不存在ESD這種災難性事件。
此外,作為再現過(guò)程的一部分,輸出可以被刷新。如果處理器是存儲器單元這一步是不需要的,但如果數據是通過(guò)遠程鎖定的,那就需要用刷新例程來(lái)管理破壞事件。