聯(lián)系我們
東莞市眾升儀器有限公司
業(yè)務(wù)部
聯(lián)系人：陳平
聯(lián)系電話(huà)：0769-23131676
傳真號碼：0769-23131096
移動(dòng)電話(huà)：15989633801（微信同號）
Email：ZS1717@163.com
QQ：782352024
地址：東莞市莞城街道東城路莞城段33號405室
公司網(wǎng)址：http://ruituo888.com
文章詳情
電磁兼容問(wèn)題解決方案 電磁屏蔽技術(shù)
日期：2024-06-25 07:59
瀏覽次數：303
摘要： 電磁屏蔽是解決電磁兼容問(wèn)題的重要手段之一.大部分電磁兼容問(wèn)題都可以通過(guò)電磁屏蔽來(lái)解決.用電磁屏蔽的方法來(lái)解決電磁干擾問(wèn)題的*大好處是不會(huì )影響電路的正常工作,因此不需要對電路做任何修改.
1、選擇屏蔽材料
屏蔽體的有效性用屏蔽效能來(lái)度量.屏蔽效能是沒(méi)有屏蔽時(shí)空間某個(gè)位置的場(chǎng)強E1與有屏蔽時(shí)該位置的場(chǎng)強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來(lái)的百分之一至百萬(wàn)分之一,因此通常用分貝來(lái)表述屏蔽效能,這時(shí)屏蔽效能的定義公式為:
SE = 20...
電磁屏蔽是解決電磁兼容問(wèn)題的重要手段之一.大部分電磁兼容問(wèn)題都可以通過(guò)電磁屏蔽來(lái)解決.用電磁屏蔽的方法來(lái)解決電磁干擾問(wèn)題的*大好處是不會(huì )影響電路的正常工作,因此不需要對電路做任何修改.
1、選擇屏蔽材料
屏蔽體的有效性用屏蔽效能來(lái)度量.屏蔽效能是沒(méi)有屏蔽時(shí)空間某個(gè)位置的場(chǎng)強E1與有屏蔽時(shí)該位置的場(chǎng)強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來(lái)的百分之一至百萬(wàn)分之一,因此通常用分貝來(lái)表述屏蔽效能,這時(shí)屏蔽效能的定義公式為:
SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB)
用這個(gè)定義式只能測試屏蔽材料的屏蔽效能,而無(wú)法確定應該使用什么材料做屏蔽體.要確定使用什么材料制造屏蔽體,需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數有關(guān).工程中實(shí)用的表征材料屏蔽效能的公式為:
SE = A + R (dB)
式中的A稱(chēng)為屏蔽材料的吸收損耗,是電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)發(fā)生的,計算公式為:
A=3.34t(fμrσr) (dB)
t = 材料的厚度,μr = 材料的磁導率,σr = 材料的電導率,對于特定的材料,這些都是已知的.f = 被屏蔽電磁波的頻率.
式中的R稱(chēng)為屏蔽材料的反射損耗,是當電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)發(fā)生的,計算公式為:
R=20lg(ZW/ZS)(dB)
式中,Zw=電磁波的波阻抗,Zs=屏蔽材料的特性阻抗.
電磁波的波阻抗定義為電場(chǎng)分量與磁場(chǎng)分量的比值:Zw = E / H.在距離輻射源較近(<λ/2π,稱(chēng)為近場(chǎng)區)時(shí),波阻抗的值取決于輻射源的性質(zhì)、觀(guān)測點(diǎn)到源的距離、介質(zhì)特性等.若輻射源為大電流、低電壓(輻射源電路的阻抗較低),則產(chǎn)生的電磁波的波阻抗小于377,稱(chēng)為低阻抗波,或磁場(chǎng)波.若輻射源為高電壓,小電流(輻射源電路的阻抗較高),則波阻抗大于377,稱(chēng)為高阻抗波或電場(chǎng)波.關(guān)于近場(chǎng)區內波阻抗的具體計算公式本文不予論述,以免沖淡主題,感興趣的讀者可以參考有關(guān)電磁場(chǎng)方面的參考書(shū).當距離輻射源較遠(>λ/2π,稱(chēng)為遠場(chǎng)區)時(shí),波波阻抗僅與電場(chǎng)波傳播介質(zhì)有關(guān),其數值等于介質(zhì)的特性阻抗,空氣為377Ω.
屏蔽材料的阻抗計算方法為:
|ZS|=3.68×10-7(fμr/σr) (Ω)
f=入射電磁波的頻率(Hz),μr=相對磁導率,σr=相對電導率
從上面幾個(gè)公式,就可以計算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了,為了方便設計,下面給出一些定性的結論.
● 在近場(chǎng)區設計屏蔽時(shí),要分別考慮電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波的情況;
● 屏蔽電場(chǎng)波時(shí),使用導電性好的材料,屏蔽磁場(chǎng)波時(shí),使用導磁性好的材料;
● 同一種屏蔽材料,對于不同的電磁波,屏蔽效能使不同的,對電場(chǎng)波的屏蔽效能*高,對磁場(chǎng)波的屏蔽效能*低,也就是說(shuō),電場(chǎng)波*容易屏蔽,磁場(chǎng)波*難屏蔽;
● 一般情況下,材料的導電性和導磁性越好,屏蔽效能越高;
● 屏蔽電場(chǎng)波時(shí),屏蔽體盡量靠近輻射源,屏蔽磁場(chǎng)源時(shí),屏蔽體盡量遠離磁場(chǎng)源;
有一種情況需要特別注意,這就是1kHz以下的磁場(chǎng)波.這種磁場(chǎng)波一般由大電流輻射源產(chǎn)生,例如,傳輸大電流的電力線(xiàn),大功率的變壓器等.對于這種頻率很低的磁場(chǎng),只能采用高導磁率的材料進(jìn)行屏蔽,常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金.
2、孔洞和縫隙的電磁泄漏與對策
一般除了低頻磁場(chǎng)外,大部分金屬材料可以提供100dB以上的屏蔽效能.但在實(shí)際中,常見(jiàn)的情況是金屬做成的屏蔽體,并沒(méi)有這么高的屏蔽效能,甚至幾乎沒(méi)有屏蔽效能.這是因為許多設計人員沒(méi)有了解電磁屏蔽的關(guān)鍵.
首先,需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒(méi)有關(guān)系.這與靜電場(chǎng)的屏蔽不同,在靜電中,只要將屏蔽體接地,就能夠有效地屏蔽靜電場(chǎng).而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無(wú)關(guān),這是必須明確的.
電磁屏蔽的關(guān)鍵點(diǎn)有兩個(gè),一個(gè)是保證屏蔽體的導電連續性,即整個(gè)屏蔽體必須是一個(gè)完整的、連續的導電體.另一點(diǎn)是不能有穿過(guò)機箱的導體.對于一個(gè)實(shí)際的機箱,這兩點(diǎn)實(shí)現起來(lái)都非常困難.
首先,一個(gè)實(shí)用的機箱上會(huì )有很多孔洞和孔縫:通風(fēng)口、顯示口、安裝各種調節桿的開(kāi)口、不同部分結合的縫隙等.屏蔽設計的主要內容就是如何妥善處理這些孔縫,同時(shí)不會(huì )影響機箱的其他性能(美觀(guān)、可維性、可靠性).
其次,機箱上總是會(huì )有電纜穿出(入),至少會(huì )有一條電源電纜.這些電纜會(huì )極大地危害屏蔽體,使屏蔽體的屏蔽效能降低數十分貝.妥善處理這些電纜是屏蔽設計中的重要內容之一(穿過(guò)屏蔽體的導體的危害有時(shí)比孔縫的危害更大).
當電磁波入射到一個(gè)孔洞時(shí),其作用相當于一個(gè)偶極天線(xiàn)(圖1),當孔洞的長(cháng)度達到λ/2時(shí),其輻射效率*高(與孔洞的寬度無(wú)關(guān)),也就是說(shuō),它可以將激勵孔洞的全部能量輻射出去.
對于一個(gè)厚度為0材料上的孔洞,在遠場(chǎng)區中,*壞情況下(造成*大泄漏的極化方向)的屏蔽效能(實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì )更大一些)計算公式為:
SE=100 - 20lgL - 20lg f + 20lg [1 + 2.3lg(L/H)] (dB)
若 L ≥λ/2,SE = 0 (dB)
式中各量:L = 縫隙的長(cháng)度(mm),H = 縫隙的寬度(mm),f = 入射電磁波的頻率(MHz).
在近場(chǎng)區,孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān).當輻射源是電場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄漏比遠場(chǎng)時(shí)小(屏蔽效能高),而當輻射源是磁場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄漏比遠場(chǎng)時(shí)要大(屏蔽效能低).近場(chǎng)區,孔洞的電磁屏蔽計算公式為:
若ZC >(7.9/D·f):
SE = 48 + 20lg ZC - 20lgL·f+ 20lg [1 + 2.3lg (L/H) ]
若Zc<(7.9/D·f):
SE = 20lg [ (D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ]
式中:Zc=輻射源電路的阻抗(Ω),
D = 孔洞到輻射源的距離(m),
L、H = 孔洞長(cháng)、寬(mm),
f = 電磁波的頻率(MHz)
說(shuō)明:
● 在**個(gè)公式中,屏蔽效能與電磁波的頻率沒(méi)有關(guān)系.
● 大多數情況下,電路滿(mǎn)足**個(gè)公式的條件,這時(shí)的屏蔽效能大于**中條件下的屏蔽效能.
● **個(gè)條件中,假設輻射源是純磁場(chǎng)源,因此可以認為是一種在*壞條件下,對屏蔽效能的保守計算.
● 對于磁場(chǎng)源,屏蔽效能與孔洞到輻射源的距離有關(guān),距離越近,則泄漏越大.這點(diǎn)在設計時(shí)一定要注意,磁場(chǎng)輻射源一定要盡量遠離孔洞.
多個(gè)孔洞的情況
當N個(gè)尺寸相同的孔洞排列在一起,并且相距很近(距離小于λ/2)時(shí),造成的屏蔽效能下降為20lgN1/2.在不同面上的孔洞不會(huì )增加泄漏,因為其輻射方向不同,這個(gè)特點(diǎn)可以在設計中用來(lái)避免某一個(gè)面的輻射過(guò)強.
除了使孔洞的尺寸遠小于電磁波的波長(cháng),用輻射源盡量遠離孔洞等方法減小孔洞泄漏以外,增加孔洞的深度也可以減小孔洞的泄漏,這就是截止波導的原理.
一般情況下,屏蔽機箱上不同部分的結合處不可能完全接觸,只能在某些點(diǎn)接觸上,這構成了一個(gè)孔洞陣列.縫隙是造成屏蔽機箱屏蔽效能降級的主要原因之一.減小縫隙泄漏的方法有:
● 增加導電接觸點(diǎn)、減小縫隙的寬度,例如使用機械加工的手段(如用銑床加工接觸表面)來(lái)增加接觸面的平整度,增加緊固件(螺釘、鉚釘)的密度;
● 加大兩塊金屬板之間的重疊面積;
● 使用電磁密封襯墊,電磁密封襯墊是一種彈性的導電材料.如果在縫隙處安裝上連續的電磁密封襯墊,那么,對于電磁波而言,就如同在液體容器的蓋子上使用了橡膠密封襯墊后不會(huì )發(fā)生液體泄漏一樣,不會(huì )發(fā)生電磁波的泄漏.
3、穿過(guò)屏蔽體的導體的處理
造成屏蔽體失效的另一個(gè)主要原因是穿過(guò)屏蔽體的導體.在實(shí)際中,很多結構上很?chē)烂艿钠帘螜C箱(機柜)就是由于有導體直接穿過(guò)屏蔽箱而導致電磁兼容試驗失敗,這是缺乏電磁兼容經(jīng)驗的設計師感到困惑的典型問(wèn)題之一.
判斷這種問(wèn)題的方法是將設備上在試驗中沒(méi)有必要連接的電纜拔下,如果電磁兼容問(wèn)題消失,說(shuō)明電纜是導致問(wèn)題的因素.解決這個(gè)問(wèn)題有兩個(gè)方法:
● 對于傳輸頻率較低的信號的電纜,在電纜的端口處使用低通濾波器,濾除電纜上不必要的高頻頻率成分,減小電纜產(chǎn)生的電磁輻射(因為高頻電流*容易輻射).這同樣也能防止電纜上感應到的環(huán)境噪聲傳進(jìn)設備內的電路.
● 對于傳輸頻率較高的信號的電纜,低通濾波器可能會(huì )導致信號失真,這時(shí)只能采用屏蔽的方法.但要注意屏蔽電纜的屏蔽層要360°搭接,這往往是很難的.
在電纜端口安裝低通濾波器有兩個(gè)方法
● 安裝在線(xiàn)路板上,這種方法的優(yōu)點(diǎn)是經(jīng)濟,缺點(diǎn)是高頻濾波效果欠佳.顯然,這個(gè)缺點(diǎn)對于這種用途的濾波器是十分致命的,因為,我們使用濾波器的目的就是濾除容易導致輻射的高頻信號,或者空間的高頻電磁波在電纜上感應的電流.
● 安裝在面板上,這種濾波器直接安裝在屏蔽機箱的金屬面板上,如饋通濾波器、濾波陣列板、濾波連接器等.由于直接安裝在金屬面板上,濾波器的輸入、輸出之間完全隔離,接地良好,導線(xiàn)上的干擾在機箱端口上被濾除,因此濾波效果十分理想.缺點(diǎn)是安裝需要一定的結構配合,這必須在設計初期進(jìn)行考慮.
由于現代電子設備的工作頻率越來(lái)越高,對付的電磁干擾頻率也越來(lái)越高,因此在面板上安裝干擾濾波器成為一種趨勢.一種使用十分方便、性能十分優(yōu)越的器件就是濾波連接器.濾波連接器的外形與普通連接器的外形完全相同,可以直接替換.它的每根插針或孔上有一個(gè)低通濾波器.低通濾波器可以是簡(jiǎn)單的單電容電路,也可以是較復雜的電路.
解決電纜上干擾的一個(gè)十分簡(jiǎn)單的方法是在電纜上套一個(gè)鐵氧體磁環(huán),這個(gè)方法雖然往往有效,但是有一些條件.許多人對鐵氧體寄予了過(guò)高期望,只要一遇到電纜輻射的問(wèn)題,就在電纜上套鐵氧體,往往會(huì )失望.鐵氧體磁環(huán)的效果預測公式為:
共模輻射改善 =20lg(加磁環(huán)后的共模環(huán)路阻抗/加磁環(huán)前的共模環(huán)路阻抗)
例如,如果沒(méi)加鐵氧體時(shí)的共模環(huán)路阻抗為100Ω,加了鐵氧體以后為1000Ω,則共模輻射改善為20dB.
說(shuō)明:有時(shí)套上鐵氧體后,電磁輻射并沒(méi)有明顯的改善,這并不一定是鐵氧體沒(méi)有起作用,而可能是除了這根電纜以外,還有其他輻射源.
在電纜上使用鐵氧體磁環(huán)時(shí),要注意下列一些問(wèn)題:
● 磁環(huán)的內徑盡量小
● 磁環(huán)的壁盡量厚
● 磁環(huán)盡量長(cháng)
● 磁環(huán)盡量安裝在電纜的端頭處
1、選擇屏蔽材料
屏蔽體的有效性用屏蔽效能來(lái)度量.屏蔽效能是沒(méi)有屏蔽時(shí)空間某個(gè)位置的場(chǎng)強E1與有屏蔽時(shí)該位置的場(chǎng)強E2的比值,它表征了屏蔽體對電磁波的衰減程度.用于電磁兼容目的的屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來(lái)的百分之一至百萬(wàn)分之一,因此通常用分貝來(lái)表述屏蔽效能,這時(shí)屏蔽效能的定義公式為:
SE = 20 lg ( E1/ E2 ) (dB)
用這個(gè)定義式只能測試屏蔽材料的屏蔽效能,而無(wú)法確定應該使用什么材料做屏蔽體.要確定使用什么材料制造屏蔽體,需要知道材料的屏蔽效能與材料的什么特性參數有關(guān).工程中實(shí)用的表征材料屏蔽效能的公式為:
SE = A + R (dB)
式中的A稱(chēng)為屏蔽材料的吸收損耗,是電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)發(fā)生的,計算公式為:
A=3.34t(fμrσr) (dB)
t = 材料的厚度,μr = 材料的磁導率,σr = 材料的電導率,對于特定的材料,這些都是已知的.f = 被屏蔽電磁波的頻率.
式中的R稱(chēng)為屏蔽材料的反射損耗,是當電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)發(fā)生的,計算公式為:
R=20lg(ZW/ZS)(dB)
式中,Zw=電磁波的波阻抗,Zs=屏蔽材料的特性阻抗.
電磁波的波阻抗定義為電場(chǎng)分量與磁場(chǎng)分量的比值:Zw = E / H.在距離輻射源較近(<λ/2π,稱(chēng)為近場(chǎng)區)時(shí),波阻抗的值取決于輻射源的性質(zhì)、觀(guān)測點(diǎn)到源的距離、介質(zhì)特性等.若輻射源為大電流、低電壓(輻射源電路的阻抗較低),則產(chǎn)生的電磁波的波阻抗小于377,稱(chēng)為低阻抗波,或磁場(chǎng)波.若輻射源為高電壓,小電流(輻射源電路的阻抗較高),則波阻抗大于377,稱(chēng)為高阻抗波或電場(chǎng)波.關(guān)于近場(chǎng)區內波阻抗的具體計算公式本文不予論述,以免沖淡主題,感興趣的讀者可以參考有關(guān)電磁場(chǎng)方面的參考書(shū).當距離輻射源較遠(>λ/2π,稱(chēng)為遠場(chǎng)區)時(shí),波波阻抗僅與電場(chǎng)波傳播介質(zhì)有關(guān),其數值等于介質(zhì)的特性阻抗,空氣為377Ω.
屏蔽材料的阻抗計算方法為:
|ZS|=3.68×10-7(fμr/σr) (Ω)
f=入射電磁波的頻率(Hz),μr=相對磁導率,σr=相對電導率
從上面幾個(gè)公式,就可以計算出各種屏蔽材料的屏蔽效能了,為了方便設計,下面給出一些定性的結論.
● 在近場(chǎng)區設計屏蔽時(shí),要分別考慮電場(chǎng)波和磁場(chǎng)波的情況;
● 屏蔽電場(chǎng)波時(shí),使用導電性好的材料,屏蔽磁場(chǎng)波時(shí),使用導磁性好的材料;
● 同一種屏蔽材料,對于不同的電磁波,屏蔽效能使不同的,對電場(chǎng)波的屏蔽效能*高,對磁場(chǎng)波的屏蔽效能*低,也就是說(shuō),電場(chǎng)波*容易屏蔽,磁場(chǎng)波*難屏蔽;
● 一般情況下,材料的導電性和導磁性越好,屏蔽效能越高;
● 屏蔽電場(chǎng)波時(shí),屏蔽體盡量靠近輻射源,屏蔽磁場(chǎng)源時(shí),屏蔽體盡量遠離磁場(chǎng)源;
有一種情況需要特別注意,這就是1kHz以下的磁場(chǎng)波.這種磁場(chǎng)波一般由大電流輻射源產(chǎn)生,例如,傳輸大電流的電力線(xiàn),大功率的變壓器等.對于這種頻率很低的磁場(chǎng),只能采用高導磁率的材料進(jìn)行屏蔽,常用的材料是含鎳80%左右的坡莫合金.
2、孔洞和縫隙的電磁泄漏與對策
一般除了低頻磁場(chǎng)外,大部分金屬材料可以提供100dB以上的屏蔽效能.但在實(shí)際中,常見(jiàn)的情況是金屬做成的屏蔽體,并沒(méi)有這么高的屏蔽效能,甚至幾乎沒(méi)有屏蔽效能.這是因為許多設計人員沒(méi)有了解電磁屏蔽的關(guān)鍵.
首先,需要了解的是電磁屏蔽與屏蔽體接地與否并沒(méi)有關(guān)系.這與靜電場(chǎng)的屏蔽不同,在靜電中,只要將屏蔽體接地,就能夠有效地屏蔽靜電場(chǎng).而電磁屏蔽卻與屏蔽體接地與否無(wú)關(guān),這是必須明確的.
電磁屏蔽的關(guān)鍵點(diǎn)有兩個(gè),一個(gè)是保證屏蔽體的導電連續性,即整個(gè)屏蔽體必須是一個(gè)完整的、連續的導電體.另一點(diǎn)是不能有穿過(guò)機箱的導體.對于一個(gè)實(shí)際的機箱,這兩點(diǎn)實(shí)現起來(lái)都非常困難.
首先,一個(gè)實(shí)用的機箱上會(huì )有很多孔洞和孔縫:通風(fēng)口、顯示口、安裝各種調節桿的開(kāi)口、不同部分結合的縫隙等.屏蔽設計的主要內容就是如何妥善處理這些孔縫,同時(shí)不會(huì )影響機箱的其他性能(美觀(guān)、可維性、可靠性).
其次,機箱上總是會(huì )有電纜穿出(入),至少會(huì )有一條電源電纜.這些電纜會(huì )極大地危害屏蔽體,使屏蔽體的屏蔽效能降低數十分貝.妥善處理這些電纜是屏蔽設計中的重要內容之一(穿過(guò)屏蔽體的導體的危害有時(shí)比孔縫的危害更大).
當電磁波入射到一個(gè)孔洞時(shí),其作用相當于一個(gè)偶極天線(xiàn)(圖1),當孔洞的長(cháng)度達到λ/2時(shí),其輻射效率*高(與孔洞的寬度無(wú)關(guān)),也就是說(shuō),它可以將激勵孔洞的全部能量輻射出去.
對于一個(gè)厚度為0材料上的孔洞,在遠場(chǎng)區中,*壞情況下(造成*大泄漏的極化方向)的屏蔽效能(實(shí)際情況下屏蔽效能可能會(huì )更大一些)計算公式為:
SE=100 - 20lgL - 20lg f + 20lg [1 + 2.3lg(L/H)] (dB)
若 L ≥λ/2,SE = 0 (dB)
式中各量:L = 縫隙的長(cháng)度(mm),H = 縫隙的寬度(mm),f = 入射電磁波的頻率(MHz).
在近場(chǎng)區,孔洞的泄漏還與輻射源的特性有關(guān).當輻射源是電場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄漏比遠場(chǎng)時(shí)小(屏蔽效能高),而當輻射源是磁場(chǎng)源時(shí),孔洞的泄漏比遠場(chǎng)時(shí)要大(屏蔽效能低).近場(chǎng)區,孔洞的電磁屏蔽計算公式為:
若ZC >(7.9/D·f):
SE = 48 + 20lg ZC - 20lgL·f+ 20lg [1 + 2.3lg (L/H) ]
若Zc<(7.9/D·f):
SE = 20lg [ (D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ]
式中:Zc=輻射源電路的阻抗(Ω),
D = 孔洞到輻射源的距離(m),
L、H = 孔洞長(cháng)、寬(mm),
f = 電磁波的頻率(MHz)
說(shuō)明:
● 在**個(gè)公式中,屏蔽效能與電磁波的頻率沒(méi)有關(guān)系.
● 大多數情況下,電路滿(mǎn)足**個(gè)公式的條件,這時(shí)的屏蔽效能大于**中條件下的屏蔽效能.
● **個(gè)條件中,假設輻射源是純磁場(chǎng)源,因此可以認為是一種在*壞條件下,對屏蔽效能的保守計算.
● 對于磁場(chǎng)源,屏蔽效能與孔洞到輻射源的距離有關(guān),距離越近,則泄漏越大.這點(diǎn)在設計時(shí)一定要注意,磁場(chǎng)輻射源一定要盡量遠離孔洞.
多個(gè)孔洞的情況
當N個(gè)尺寸相同的孔洞排列在一起,并且相距很近(距離小于λ/2)時(shí),造成的屏蔽效能下降為20lgN1/2.在不同面上的孔洞不會(huì )增加泄漏,因為其輻射方向不同,這個(gè)特點(diǎn)可以在設計中用來(lái)避免某一個(gè)面的輻射過(guò)強.
除了使孔洞的尺寸遠小于電磁波的波長(cháng),用輻射源盡量遠離孔洞等方法減小孔洞泄漏以外,增加孔洞的深度也可以減小孔洞的泄漏,這就是截止波導的原理.
一般情況下,屏蔽機箱上不同部分的結合處不可能完全接觸,只能在某些點(diǎn)接觸上,這構成了一個(gè)孔洞陣列.縫隙是造成屏蔽機箱屏蔽效能降級的主要原因之一.減小縫隙泄漏的方法有:
● 增加導電接觸點(diǎn)、減小縫隙的寬度,例如使用機械加工的手段(如用銑床加工接觸表面)來(lái)增加接觸面的平整度,增加緊固件(螺釘、鉚釘)的密度;
● 加大兩塊金屬板之間的重疊面積;
● 使用電磁密封襯墊,電磁密封襯墊是一種彈性的導電材料.如果在縫隙處安裝上連續的電磁密封襯墊,那么,對于電磁波而言,就如同在液體容器的蓋子上使用了橡膠密封襯墊后不會(huì )發(fā)生液體泄漏一樣,不會(huì )發(fā)生電磁波的泄漏.
3、穿過(guò)屏蔽體的導體的處理
造成屏蔽體失效的另一個(gè)主要原因是穿過(guò)屏蔽體的導體.在實(shí)際中,很多結構上很?chē)烂艿钠帘螜C箱(機柜)就是由于有導體直接穿過(guò)屏蔽箱而導致電磁兼容試驗失敗,這是缺乏電磁兼容經(jīng)驗的設計師感到困惑的典型問(wèn)題之一.
判斷這種問(wèn)題的方法是將設備上在試驗中沒(méi)有必要連接的電纜拔下,如果電磁兼容問(wèn)題消失,說(shuō)明電纜是導致問(wèn)題的因素.解決這個(gè)問(wèn)題有兩個(gè)方法:
● 對于傳輸頻率較低的信號的電纜,在電纜的端口處使用低通濾波器,濾除電纜上不必要的高頻頻率成分,減小電纜產(chǎn)生的電磁輻射(因為高頻電流*容易輻射).這同樣也能防止電纜上感應到的環(huán)境噪聲傳進(jìn)設備內的電路.
● 對于傳輸頻率較高的信號的電纜,低通濾波器可能會(huì )導致信號失真,這時(shí)只能采用屏蔽的方法.但要注意屏蔽電纜的屏蔽層要360°搭接,這往往是很難的.
在電纜端口安裝低通濾波器有兩個(gè)方法
● 安裝在線(xiàn)路板上,這種方法的優(yōu)點(diǎn)是經(jīng)濟,缺點(diǎn)是高頻濾波效果欠佳.顯然,這個(gè)缺點(diǎn)對于這種用途的濾波器是十分致命的,因為,我們使用濾波器的目的就是濾除容易導致輻射的高頻信號,或者空間的高頻電磁波在電纜上感應的電流.
● 安裝在面板上,這種濾波器直接安裝在屏蔽機箱的金屬面板上,如饋通濾波器、濾波陣列板、濾波連接器等.由于直接安裝在金屬面板上,濾波器的輸入、輸出之間完全隔離,接地良好,導線(xiàn)上的干擾在機箱端口上被濾除,因此濾波效果十分理想.缺點(diǎn)是安裝需要一定的結構配合,這必須在設計初期進(jìn)行考慮.
由于現代電子設備的工作頻率越來(lái)越高,對付的電磁干擾頻率也越來(lái)越高,因此在面板上安裝干擾濾波器成為一種趨勢.一種使用十分方便、性能十分優(yōu)越的器件就是濾波連接器.濾波連接器的外形與普通連接器的外形完全相同,可以直接替換.它的每根插針或孔上有一個(gè)低通濾波器.低通濾波器可以是簡(jiǎn)單的單電容電路,也可以是較復雜的電路.
解決電纜上干擾的一個(gè)十分簡(jiǎn)單的方法是在電纜上套一個(gè)鐵氧體磁環(huán),這個(gè)方法雖然往往有效,但是有一些條件.許多人對鐵氧體寄予了過(guò)高期望,只要一遇到電纜輻射的問(wèn)題,就在電纜上套鐵氧體,往往會(huì )失望.鐵氧體磁環(huán)的效果預測公式為:
共模輻射改善 =20lg(加磁環(huán)后的共模環(huán)路阻抗/加磁環(huán)前的共模環(huán)路阻抗)
例如,如果沒(méi)加鐵氧體時(shí)的共模環(huán)路阻抗為100Ω,加了鐵氧體以后為1000Ω,則共模輻射改善為20dB.
說(shuō)明:有時(shí)套上鐵氧體后,電磁輻射并沒(méi)有明顯的改善,這并不一定是鐵氧體沒(méi)有起作用,而可能是除了這根電纜以外,還有其他輻射源.
在電纜上使用鐵氧體磁環(huán)時(shí),要注意下列一些問(wèn)題:
● 磁環(huán)的內徑盡量小
● 磁環(huán)的壁盡量厚
● 磁環(huán)盡量長(cháng)
● 磁環(huán)盡量安裝在電纜的端頭處
