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USB接口電磁兼容(EMC)解決方案
usb接口具有傳輸速度快,支持熱插拔以及連接多個(gè)設備的特點(diǎn),目前已經(jīng)在各類(lèi)計算機、消費類(lèi)產(chǎn)品中廣泛應用。
由于usb接口其運行速率較高,容易通過(guò)usb連接線(xiàn)纜對外高頻輻射超標,同時(shí)由于帶電熱插拔,容易受到瞬間電壓沖擊和靜電干擾。因此我們在產(chǎn)品接口設計時(shí),需要著(zhù)重從接口濾波設計,防護設計,PCB設計、結構電纜多個(gè)方面考慮電磁兼容設計。
本文電磁兼容解決方案主要結合usb2.0接口電路特點(diǎn),從產(chǎn)品原理圖的接口電路出發(fā),提供符合產(chǎn)品實(shí)際設計要求的具體的emc設計方案,從而使產(chǎn)品能夠滿(mǎn)足電磁兼容標準與規格要求,獲得良好的emc品質(zhì),提升產(chǎn)品的可靠性。
帶有usb接口的典型消費類(lèi)產(chǎn)品,需要滿(mǎn)足相關(guān)電磁兼容要求,與usb相關(guān)的電磁兼容項目要求如下,其他如應用在**、汽車(chē)電子、鐵路電子要求則有所不一樣,具體請參考相關(guān)電磁兼容標準要求。
4.1濾波設計要點(diǎn):
L1為共模濾波電感,用于濾除差分信號上的共模干擾;
L2為濾波磁珠,用于濾除為電源上的干擾;
C3、C4為電源濾波電容,濾除電源上的干擾;
C1、C2 為預留設計,注意電容盡量小,如實(shí)際影響信號傳輸,可以不焊接。
4.2防護設計要點(diǎn):
D1、D2、D3組成usb接口防護電路,能快速泄放靜電干擾,避免內部電路遭受靜電的干擾。
C5、C6為接口地和數字地之間的跨接電容,典型取值為1000pF,耐壓要求達到2KV以上。
4.3 特殊要求:
4.3 R1、R2為限流電阻,差分線(xiàn)之間耦合會(huì )影響信號線(xiàn)的外在阻抗,可以用此電阻實(shí)現終端*佳匹配,使用時(shí)根據實(shí)際情況進(jìn)行調整。
4.4 器件選型要求:
L1為共模電感,共模電感阻抗選擇范圍為60Ω/100MHz~120Ω/100MHz,典型值選取90Ω/100MHz
L2選用磁珠,磁珠阻抗范圍為100Ω/100MHz~1000Ω/100MHz,典型值選取600Ω/100MHz ;磁珠在選取時(shí)通流量應符合電路電流的要求,磁珠推薦使用電源用磁珠
C3、C4兩個(gè)電容在取值時(shí)要相差100倍,典型值為1000pF、0.1uF;小電容用濾除電源上的高頻干擾,大電容用于濾除電源線(xiàn)上的紋波干擾;
D1、D2、D3選用TVS,TVS反向關(guān)斷電壓為5V。TVS管的結電容對信號傳輸頻率有一定的影響,usb2.0的TVS結電容小于5pF;
C5、C6為接口地和數字地之間的跨接電容,典型取值為1000pF,耐壓要求達到2KV以上。
4.5 相關(guān)電磁兼容器件選型建議清單
5.1布局設計要點(diǎn)
元器件布局要按照信號流向進(jìn)行布局;
防護器件要盡可能的靠近接口放置,確保引線(xiàn)電感*小,以保證防護器件能正常的進(jìn)行防護動(dòng)作。
應將芯片放置在離地層*近的信號層,并盡量靠近usb插座,縮短差分線(xiàn)走線(xiàn)距離。
5.2布線(xiàn)設計要點(diǎn)
共模電感下方不能走其它信號線(xiàn)。
如果usb接口芯片需串聯(lián)端電阻或者D線(xiàn)接上拉電阻時(shí).務(wù)必將這些電阻盡可能的靠近芯片放置。
將usb差分信號線(xiàn)布在離地層*近的信號層。
保持usb差分線(xiàn)下端地層完整性,如果分割差分線(xiàn)下端的地層,會(huì )造成差分線(xiàn)阻抗的不連續性,并會(huì )增加外部噪聲對差分線(xiàn)的影響。
在usb差分線(xiàn)的布線(xiàn)過(guò)程中,應避免在差分線(xiàn)上放置過(guò)孔(via),過(guò)孔會(huì )造成差分線(xiàn)阻抗失配。
保證差分線(xiàn)的線(xiàn)間距在走線(xiàn)過(guò)程中的一致性,如果在走線(xiàn)過(guò)程中差分線(xiàn)的間距發(fā)生改變,會(huì )造成差分線(xiàn)阻抗的不連續性。
在繪制差分線(xiàn)的過(guò)程中,使用45°彎角或圓弧彎角來(lái)代替90°彎角,并盡量在差分線(xiàn)周?chē)?50 mil范圍內不要走其他的信號線(xiàn),特別是邊沿比較陡峭的數字信號線(xiàn)更加要注意其走線(xiàn)不能影響usb差分線(xiàn)。