怎樣判斷電波暗室的性能？

電波暗室就是內表面全部裝有無(wú)反射材料的屏蔽室。模擬自由空間的傳播環(huán)境，主要用于微波天線(xiàn)系統的參數測量。隨著(zhù)電子技術(shù)的日益發(fā)展，電波暗室已被更多的人了解和應用，那么怎樣判斷一個(gè)電波暗室的性能呢？下面一起來(lái)看看吧。

一、電波暗室的電性能指標

通常用靜區，反射率電平，交叉極化度，多路徑損耗，幅度均勻性和工作頻率等六項指標來(lái)表示。

1、交叉極化度：由于暗室結構的不嚴格對稱(chēng)、吸波材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統等因素使電波在暗室傳播過(guò)程中產(chǎn)生極化不純的現象。如果待測試天線(xiàn)與發(fā)射天線(xiàn)的極化面正交和平行時(shí)，所測試場(chǎng)強之比小于-25dB，就認為交叉極化度滿(mǎn)足要求。

2、多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(huì )使電磁波的極化面旋轉，如果以來(lái)波方向旋轉待測試天線(xiàn)，接收信號的起伏不超過(guò)±0.25dB，就可忽略多路徑損耗。

3、場(chǎng)均勻性：在暗室靜區，沿軸移動(dòng)待測試天線(xiàn)，要求起伏不超±2dB；在靜區的截面上，橫向和上下移動(dòng)待測天線(xiàn)，要求接收信號起伏不超過(guò)±0.25dB。

二、電波暗室性能指標

在利用光線(xiàn)發(fā)射法和能量物理法對暗室性能進(jìn)行仿真計算時(shí)，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標準天線(xiàn)的方向圖因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實(shí)際的工程設計過(guò)程中，往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關(guān)鍵決定因素。

三、天線(xiàn)測量的誤差

1、有限測試距離所引起的誤差。設待測的是平面天線(xiàn)，接收的來(lái)波沿其主波束的軸向。若測試距離大小，由待測天線(xiàn)之不同部位所接受的場(chǎng)不能相同，因此具有平方根律相位差。若待測天線(xiàn)恰位于源天線(xiàn)遠場(chǎng)區的邊界2D2/λ，其口徑邊緣與相位中心的場(chǎng)存在22.5度的相位差.若測試距離加倍，在相位差減半。對于測量中等旁瓣電平的天線(xiàn)，距離2D2/λ通常已經(jīng)足夠，測出的增益約偏小0.06dB。測試距離縮短會(huì )使測量誤差迅速增大，旁瓣會(huì )與主波束合并成肩臺式，甚至合為一體。通常0.25dB的錐銷(xiāo)使測出的增益降低約為0.1dB，并造成近旁瓣的些許誤差。

2、反射。直射波受從周?chē)矬w反射的干涉，在測試區域形成場(chǎng)的變化，由于該波波程差作為位置的函數而迅速變化，使起伏的長(cháng)度屬于波長(cháng)的數量級。例如比直射波低20dB的反射波，可引起-0.92～+0.83dB的功率誤差，具體取決于兩種之間的差異；相位測量的誤差范圍為±5.7°，但若反射波的場(chǎng)比直射波低40dB，則側出的幅度與相位分別僅有±0.09與±0.6°的誤差。反射在低旁瓣的測量中特別有害。一項很小的反射通過(guò)主瓣耦合到待測天線(xiàn)，可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波。如果相耦合的直射和反射波強度相等，則測出的旁瓣電平會(huì )抬高6dB左右，或者在測得的波瓣圖中成為零點(diǎn)。

3、其他誤差。還可能導致天線(xiàn)測量產(chǎn)生誤差的因素有：低頻時(shí)與電抗近場(chǎng)的耦合可能比較顯著(zhù)；測量天線(xiàn)的對準誤差；其他干擾信號；測試電纜所引起的誤差等。

電波暗室的應用已經(jīng)越來(lái)越廣泛，為了滿(mǎn)足人們的需求也會(huì )對電波暗室各個(gè)參數及各個(gè)方面做出*好的改善。