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集成電路產(chǎn)品EMC測試系統的測試項目
日期:2024-06-25 06:06
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摘要: 集成電路產(chǎn)品EMC測試系統是嚴格按照IEC 61967和IEC 62132系列進(jìn)行設計,整套系統的功能和性能不僅能夠滿(mǎn)足上述兩大類(lèi)標準要求的測試項目。而且在系統的關(guān)鍵技術(shù)具有**性、實(shí)踐可行性,滿(mǎn)足各類(lèi)集成電路模塊、各類(lèi)存儲芯片、各類(lèi)電源管理芯片、各類(lèi)接口芯片、各類(lèi)時(shí)鐘芯片以及運放等。
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統的測試項目有:EMI類(lèi)、EMS類(lèi)。
EMI類(lèi):依據IEC 61967系列標準;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試;
表面掃描法—輻射發(fā)射測試;
1Ω/150Ω直接耦合法—傳導發(fā)射測試;
EMS類(lèi)(頻域):依據IE...
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統是嚴格按照IEC 61967和IEC 62132系列進(jìn)行設計,整套系統的功能和性能不僅能夠滿(mǎn)足上述兩大類(lèi)標準要求的測試項目。而且在系統的關(guān)鍵技術(shù)具有**性、實(shí)踐可行性,滿(mǎn)足各類(lèi)集成電路模塊、各類(lèi)存儲芯片、各類(lèi)電源管理芯片、各類(lèi)接口芯片、各類(lèi)時(shí)鐘芯片以及運放等。
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統的測試項目有:EMI類(lèi)、EMS類(lèi)。
EMI類(lèi):依據IEC 61967系列標準;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試;
表面掃描法—輻射發(fā)射測試;
1Ω/150Ω直接耦合法—傳導發(fā)射測試;
EMS類(lèi)(頻域):依據IEC62132系列與IEC 62215系列標準;
TEM小室法—輻射敏感度測試;
大電流注入法—傳導敏感度測試;
直接功率注入法—傳導敏感度測試;
電快速脈沖群(EFT)注入法—傳導敏感度測試;
靜電放電(ESD)注入法—傳導敏感度測試;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試的測試目的:在150kHz~1GHz內測試IC輻射發(fā)射。適用于封裝/片內去耦/引腳分布等的優(yōu)劣判別,測試要滿(mǎn)足以下條件。
測試布置:
使用TEM小室作為接收傳感器,然后使用EMI測試接收機/頻譜儀進(jìn)行測量。
測試方法:
為了保證重復性,環(huán)境溫度保持于18℃~28℃;測試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于*低極限線(xiàn)值6dB;在測試之前,集成電路應使用適當的程序加載并處于穩定狀態(tài);待測集成電路的供電特性應符合集成電路制造商要求。
測試步驟:
**步:按測試布置進(jìn)行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測試,此時(shí)待IC不上電;
第 二步:待測IC上電,并進(jìn)行功能測試,需要對IC的軟件加載,并一直到其處于穩定狀態(tài);
第三步:對待測IC進(jìn)行輻射發(fā)射測量;
第四步:將待測IC與測試夾具旋轉90o,重復第三步測試,直至四個(gè)可能的方向均完成輻射發(fā)射測量。
集成電路產(chǎn)品EMC測試系統的測試項目有:EMI類(lèi)、EMS類(lèi)。
EMI類(lèi):依據IEC 61967系列標準;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試;
表面掃描法—輻射發(fā)射測試;
1Ω/150Ω直接耦合法—傳導發(fā)射測試;
EMS類(lèi)(頻域):依據IEC62132系列與IEC 62215系列標準;
TEM小室法—輻射敏感度測試;
大電流注入法—傳導敏感度測試;
直接功率注入法—傳導敏感度測試;
電快速脈沖群(EFT)注入法—傳導敏感度測試;
靜電放電(ESD)注入法—傳導敏感度測試;
TEM小室法—輻射發(fā)射測試的測試目的:在150kHz~1GHz內測試IC輻射發(fā)射。適用于封裝/片內去耦/引腳分布等的優(yōu)劣判別,測試要滿(mǎn)足以下條件。
測試布置:
使用TEM小室作為接收傳感器,然后使用EMI測試接收機/頻譜儀進(jìn)行測量。
測試方法:
為了保證重復性,環(huán)境溫度保持于18℃~28℃;測試環(huán)境的背景電磁噪聲至少低于*低極限線(xiàn)值6dB;在測試之前,集成電路應使用適當的程序加載并處于穩定狀態(tài);待測集成電路的供電特性應符合集成電路制造商要求。
測試步驟:
**步:按測試布置進(jìn)行環(huán)境溫度及背景電磁噪聲測試,此時(shí)待IC不上電;
第 二步:待測IC上電,并進(jìn)行功能測試,需要對IC的軟件加載,并一直到其處于穩定狀態(tài);
第三步:對待測IC進(jìn)行輻射發(fā)射測量;
第四步:將待測IC與測試夾具旋轉90o,重復第三步測試,直至四個(gè)可能的方向均完成輻射發(fā)射測量。