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22個(gè)方向分享開(kāi)關(guān)電源PCB設計與EMC之間關(guān)聯(lián)(二)
日期:2024-06-25 12:11
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摘要:接上一篇
10、EMC整改心得體會(huì )
均為個(gè)人理解,或許與傳統資料教材有差異,請自己斟酌,反正我覺(jué)得很多通用的教材結果沒(méi)我自己總結的使用,自夸了。想說(shuō)的很多,可能有些亂,都是實(shí)踐出來(lái)的!
一.EMC產(chǎn)生以及測試時(shí)測得的結果如何去理解:簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是如何對癥下藥,很多情況拿到**輪測試結果,怎么將結果和電源去對照分析;主題思路如下:
1.針對傳導,測試范圍標準15K-30M,常見(jiàn)的EN55022是150K起。傳導的源頭是怎么產(chǎn)生的呢?針對低頻,主要是開(kāi)關(guān)頻率以及其倍頻(后續有圖解),這種從源頭是無(wú)法解決的,開(kāi)關(guān)頻率是無(wú)法消除的...
接上一篇
10、EMC整改心得體會(huì )
均為個(gè)人理解,或許與傳統資料教材有差異,請自己斟酌,反正我覺(jué)得很多通用的教材結果沒(méi)我自己總結的使用,自夸了。想說(shuō)的很多,可能有些亂,都是實(shí)踐出來(lái)的!
一.EMC產(chǎn)生以及測試時(shí)測得的結果如何去理解:簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是如何對癥下藥,很多情況拿到**輪測試結果,怎么將結果和電源去對照分析;主題思路如下:
1.針對傳導,測試范圍標準15K-30M,常見(jiàn)的EN55022是150K起。傳導的源頭是怎么產(chǎn)生的呢?針對低頻,主要是開(kāi)關(guān)頻率以及其倍頻(后續有圖解),這種從源頭是無(wú)法解決的,開(kāi)關(guān)頻率是無(wú)法消除的,當然你可以改變開(kāi)關(guān)頻率,那也只是將測試結果移動(dòng)了,并沒(méi)有真正意義上消除。只能通過(guò)濾波器來(lái)解決,一般來(lái)說(shuō)對于低頻采用R10K這種高磁通材質(zhì)有很好的效果,磁環(huán)大小跟你功率有關(guān)系,一般達到10MH感量,甚至更大到20MH,配合Y電容一般能很好解決,低頻不是難點(diǎn);真正的難點(diǎn)是高頻,個(gè)人認為,高頻的起因就復雜多了,有開(kāi)關(guān)導致,有變壓器可能,也有電感的可能,也就就是一切存在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的地方都可能存在(怎么判斷具體位置,后續講解),這里需要一番摸索;找到源頭未必源頭能解決,可能有改善,還是的配合濾波器。針對高頻,采用低磁通材質(zhì),如鎳鋅環(huán),感量一般都是UH級別的,配合合適Y電容(比較復雜的電源,建議布板時(shí)多留幾個(gè)Y電容位置,方便整改);
2.一些配合手段,很多教材都提到增大X電容判斷差模還是共模,有一定意義可能現實(shí)幫助不大,設計時(shí)一般我們X電容都會(huì )放到合適的值。并且增大X電容就能解決差模問(wèn)題,也是瞎扯,所以很多教材都是提供一定意義指導,個(gè)人覺(jué)得沒(méi)什么用。我覺(jué)得比較好的手段有幾個(gè):1.對照接地和不解地總結差異,不接地可能更差,原因是系統構造的傳導途徑少了;也可能有改善,說(shuō)明是通過(guò)地回路傳導到端口。具體解決措施,針對電路接地的點(diǎn)Y電容進(jìn)行調節以及加磁珠。2.在輸入端口套磁環(huán),若套低U環(huán)有改善,調節**級濾波電感。3復雜的系統注意EMI電路的屏蔽措施。若措施都沒(méi)什么效果,反省PCB設計,這方面在PCB設計中會(huì )講到。
3.針對輻射:必須找出源頭去解決,觀(guān)測**次測試結果,若是30M附近超出,跟接地相關(guān),系統上找接地,并且要判斷測試時(shí)是否接地良好,有時(shí)候輸入線(xiàn)都有影響。2.40M-100M以?xún)?,一般是MOS管開(kāi)通關(guān)斷引起,有時(shí)后為了現場(chǎng)不好直接判斷是開(kāi)通還是關(guān)斷,可針對性整改觀(guān)測結果去驗證(當然這都得花錢(qián),后續會(huì )講解如何用示波器去判斷,這可是密招)。3 100M以上多為二極管引起,整改二極管吸收電容,大功率的有的可能是同步整流,更改MOS管吸收環(huán)路,記住有時(shí)候調整C時(shí)還得配合R整改。
要說(shuō)的太多,后續針對具體實(shí)例去補充吧,先手打這么多,反正我打的夠辛苦,能引起共鳴很難,畢竟每個(gè)人的整改經(jīng)歷差很多,就當給新人朋友一些啟示吧,后續會(huì )舉例說(shuō)明!
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11、布板走線(xiàn)之濾波電容走線(xiàn)
濾波電容的走線(xiàn)對濾波效果有至關(guān)重要的作用,走的不好,可能失去其應有的濾波效果。
圖一是副邊整流濾波走法,使二個(gè)電容效果分攤,避免**個(gè)電容在整流回路中失效。
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圖二為輸出濾波電容走線(xiàn),一定不要外掛(也就是被旁路掉),走的不好輸出紋波很差。
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12、LLC電路的布板與EMC
?LLC電路大家*熟悉不過(guò)了,虛線(xiàn)圓圈是驅動(dòng)電路,在電路設計時(shí)緊靠MOS管放置,也就是說(shuō)IC提供的驅動(dòng)只需要引二根線(xiàn)拉到驅動(dòng)電路,驅動(dòng)電路離MOS管近,避免**擾(同時(shí)走線(xiàn)時(shí)也要注意驅動(dòng)干擾到敏感信號,既是敏感信號也是干擾源);一旦驅動(dòng)**擾電源可想而知。
同理同步整流的MOS管驅動(dòng)也要離同步整流管近,設計原理圖時(shí)像此圖這樣放就能很好理解,假如你將這電路給PCB工程師布板,他就很直觀(guān)如何布局走線(xiàn),你若是畫(huà)得很亂,很多PCB工程師對電路理解得布透徹可能就容易布錯板。
另外:原邊有一個(gè)重要的環(huán)路,PFC電容與MOS管以及變壓器,諧振電感,諧振電容構成的環(huán)路面積小;
副邊整流濾波環(huán)路同樣重要,電容的走線(xiàn)之前講過(guò),也很重要;
走線(xiàn)時(shí)注意高低壓的距離,有些地方電壓是浮動(dòng)的,必須當作高壓來(lái)對待,比如上管驅動(dòng)以及對應的參考電壓。
至于EMC方面LLC的開(kāi)通是軟開(kāi)關(guān),開(kāi)通對EMC幾乎沒(méi)有影響,重點(diǎn)關(guān)注是關(guān)斷速度的快慢對EMC影響;還有MOS管結電容并的電容對EMC影響很大,選擇電容不合適,或是不加(MOS管自身也有結電容)對EMC都可能有影響,這是重點(diǎn)注意的地方;此圖沒(méi)有Y電容,在MOS管正或者負防置Y電容也能很好濾去開(kāi)關(guān)干擾。
對此電路有什么疑問(wèn)的,可以提出來(lái)討論,在討論中彼此成長(cháng)!
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13、電路設計與布板之PFC
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上圖是典型的BOOST PFC電路:
左邊綠色方框部分是驅動(dòng)電路,和之前LLC拓撲驅動(dòng)一樣,離MOS就近放置,原理圖上就體現出來(lái)。
右邊綠色虛線(xiàn)方框部分,是MOS管關(guān)斷尖峰吸收電路,一樣與MOS管構成環(huán)路要*小;
另外二大重要環(huán)路,一是MOS管開(kāi)通環(huán)路(虛線(xiàn)紅**),另一個(gè)是MOS管關(guān)斷環(huán)路(實(shí)線(xiàn)紅**);環(huán)路面積盡可能小。
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14、磁環(huán)在EMC中妙用
有的產(chǎn)品EMC很難在源頭上去處理的,可以采用磁環(huán)濾波,當然我這里說(shuō)的磁環(huán)有二個(gè)層面的意思,一方面是輸入輸出端的濾波電感,采用不同材質(zhì)磁環(huán),不同匝數會(huì )有對應的效果,還有一方面意思是直接在輸入輸出線(xiàn)上套磁環(huán),有時(shí)能起到妙用,但不是在所有場(chǎng)合都能用,起碼還是能作為判斷依據。
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上圖藍色和黑色線(xiàn)是輸出正負端,上面套了個(gè)磁環(huán),解決了輸出整流管引起的高頻端超出;有些時(shí)候端口的干擾在PCB板上加濾波器未必有效果,在輸出線(xiàn)上放磁環(huán)就有想不到的效果。
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15、PCB走線(xiàn)之關(guān)鍵信號
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注意:
1.CS信號(采樣信號):從采樣電阻R25,R26拉出,注意IC的地線(xiàn)以采樣電阻為基準,采樣電阻的正負差分走線(xiàn)拉倒IC CS腳以及IC 的GND腳。
2.驅動(dòng)信號從驅動(dòng)電路拉倒IC驅動(dòng)引腳,注意不要干擾到CS腳;如圖走線(xiàn)三根線(xiàn)并排走,并且將地線(xiàn)走在驅動(dòng)先和CS線(xiàn)中間起到一定屏蔽作用;
3.雙面板*好將IC一層鋪地屏蔽,鋪地的網(wǎng)絡(luò )一定要從IC GND引出,非關(guān)鍵信號GND可直接打過(guò)孔,關(guān)鍵信號地需要單點(diǎn)接地,直接接IC;
4.FB反饋網(wǎng)絡(luò )信號注意查分走線(xiàn)并且單點(diǎn)接IC;
5.RCD吸收網(wǎng)絡(luò )不要放在主回路;
6.VCC的整流濾波地需要接主功率地,二級濾波可接IC 地;
7.Y電容走線(xiàn)單獨接,不可與主功率混淆,避免干擾;
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16、主功率及控制部分地接線(xiàn)示意圖
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可能很多人看到此圖,云里霧里的,大致介紹下:
PFC的驅動(dòng)和IC共地接PFC管,更具體點(diǎn)是接采樣電阻的地;
DC-DC部分的驅動(dòng)地和控制地接DC開(kāi)關(guān)管部分的采樣地;
輔助源部分控制地接輔助源MOS管采樣第,MOS管地再接主功率地;
各自IC的供電地通過(guò)輔助源EC濾波接IC地,注意RC濾波靠近IC;
總結:注意好各自的單點(diǎn)接地,地線(xiàn)不亂,是走線(xiàn)*重要的地方之一!!!
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10、EMC整改心得體會(huì )
均為個(gè)人理解,或許與傳統資料教材有差異,請自己斟酌,反正我覺(jué)得很多通用的教材結果沒(méi)我自己總結的使用,自夸了。想說(shuō)的很多,可能有些亂,都是實(shí)踐出來(lái)的!
一.EMC產(chǎn)生以及測試時(shí)測得的結果如何去理解:簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是如何對癥下藥,很多情況拿到**輪測試結果,怎么將結果和電源去對照分析;主題思路如下:
1.針對傳導,測試范圍標準15K-30M,常見(jiàn)的EN55022是150K起。傳導的源頭是怎么產(chǎn)生的呢?針對低頻,主要是開(kāi)關(guān)頻率以及其倍頻(后續有圖解),這種從源頭是無(wú)法解決的,開(kāi)關(guān)頻率是無(wú)法消除的,當然你可以改變開(kāi)關(guān)頻率,那也只是將測試結果移動(dòng)了,并沒(méi)有真正意義上消除。只能通過(guò)濾波器來(lái)解決,一般來(lái)說(shuō)對于低頻采用R10K這種高磁通材質(zhì)有很好的效果,磁環(huán)大小跟你功率有關(guān)系,一般達到10MH感量,甚至更大到20MH,配合Y電容一般能很好解決,低頻不是難點(diǎn);真正的難點(diǎn)是高頻,個(gè)人認為,高頻的起因就復雜多了,有開(kāi)關(guān)導致,有變壓器可能,也有電感的可能,也就就是一切存在開(kāi)關(guān)狀態(tài)的地方都可能存在(怎么判斷具體位置,后續講解),這里需要一番摸索;找到源頭未必源頭能解決,可能有改善,還是的配合濾波器。針對高頻,采用低磁通材質(zhì),如鎳鋅環(huán),感量一般都是UH級別的,配合合適Y電容(比較復雜的電源,建議布板時(shí)多留幾個(gè)Y電容位置,方便整改);
2.一些配合手段,很多教材都提到增大X電容判斷差模還是共模,有一定意義可能現實(shí)幫助不大,設計時(shí)一般我們X電容都會(huì )放到合適的值。并且增大X電容就能解決差模問(wèn)題,也是瞎扯,所以很多教材都是提供一定意義指導,個(gè)人覺(jué)得沒(méi)什么用。我覺(jué)得比較好的手段有幾個(gè):1.對照接地和不解地總結差異,不接地可能更差,原因是系統構造的傳導途徑少了;也可能有改善,說(shuō)明是通過(guò)地回路傳導到端口。具體解決措施,針對電路接地的點(diǎn)Y電容進(jìn)行調節以及加磁珠。2.在輸入端口套磁環(huán),若套低U環(huán)有改善,調節**級濾波電感。3復雜的系統注意EMI電路的屏蔽措施。若措施都沒(méi)什么效果,反省PCB設計,這方面在PCB設計中會(huì )講到。
3.針對輻射:必須找出源頭去解決,觀(guān)測**次測試結果,若是30M附近超出,跟接地相關(guān),系統上找接地,并且要判斷測試時(shí)是否接地良好,有時(shí)候輸入線(xiàn)都有影響。2.40M-100M以?xún)?,一般是MOS管開(kāi)通關(guān)斷引起,有時(shí)后為了現場(chǎng)不好直接判斷是開(kāi)通還是關(guān)斷,可針對性整改觀(guān)測結果去驗證(當然這都得花錢(qián),后續會(huì )講解如何用示波器去判斷,這可是密招)。3 100M以上多為二極管引起,整改二極管吸收電容,大功率的有的可能是同步整流,更改MOS管吸收環(huán)路,記住有時(shí)候調整C時(shí)還得配合R整改。
要說(shuō)的太多,后續針對具體實(shí)例去補充吧,先手打這么多,反正我打的夠辛苦,能引起共鳴很難,畢竟每個(gè)人的整改經(jīng)歷差很多,就當給新人朋友一些啟示吧,后續會(huì )舉例說(shuō)明!
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11、布板走線(xiàn)之濾波電容走線(xiàn)
濾波電容的走線(xiàn)對濾波效果有至關(guān)重要的作用,走的不好,可能失去其應有的濾波效果。
圖一是副邊整流濾波走法,使二個(gè)電容效果分攤,避免**個(gè)電容在整流回路中失效。
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圖二為輸出濾波電容走線(xiàn),一定不要外掛(也就是被旁路掉),走的不好輸出紋波很差。
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12、LLC電路的布板與EMC
?LLC電路大家*熟悉不過(guò)了,虛線(xiàn)圓圈是驅動(dòng)電路,在電路設計時(shí)緊靠MOS管放置,也就是說(shuō)IC提供的驅動(dòng)只需要引二根線(xiàn)拉到驅動(dòng)電路,驅動(dòng)電路離MOS管近,避免**擾(同時(shí)走線(xiàn)時(shí)也要注意驅動(dòng)干擾到敏感信號,既是敏感信號也是干擾源);一旦驅動(dòng)**擾電源可想而知。
同理同步整流的MOS管驅動(dòng)也要離同步整流管近,設計原理圖時(shí)像此圖這樣放就能很好理解,假如你將這電路給PCB工程師布板,他就很直觀(guān)如何布局走線(xiàn),你若是畫(huà)得很亂,很多PCB工程師對電路理解得布透徹可能就容易布錯板。
另外:原邊有一個(gè)重要的環(huán)路,PFC電容與MOS管以及變壓器,諧振電感,諧振電容構成的環(huán)路面積小;
副邊整流濾波環(huán)路同樣重要,電容的走線(xiàn)之前講過(guò),也很重要;
走線(xiàn)時(shí)注意高低壓的距離,有些地方電壓是浮動(dòng)的,必須當作高壓來(lái)對待,比如上管驅動(dòng)以及對應的參考電壓。
至于EMC方面LLC的開(kāi)通是軟開(kāi)關(guān),開(kāi)通對EMC幾乎沒(méi)有影響,重點(diǎn)關(guān)注是關(guān)斷速度的快慢對EMC影響;還有MOS管結電容并的電容對EMC影響很大,選擇電容不合適,或是不加(MOS管自身也有結電容)對EMC都可能有影響,這是重點(diǎn)注意的地方;此圖沒(méi)有Y電容,在MOS管正或者負防置Y電容也能很好濾去開(kāi)關(guān)干擾。
對此電路有什么疑問(wèn)的,可以提出來(lái)討論,在討論中彼此成長(cháng)!
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13、電路設計與布板之PFC
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上圖是典型的BOOST PFC電路:
左邊綠色方框部分是驅動(dòng)電路,和之前LLC拓撲驅動(dòng)一樣,離MOS就近放置,原理圖上就體現出來(lái)。
右邊綠色虛線(xiàn)方框部分,是MOS管關(guān)斷尖峰吸收電路,一樣與MOS管構成環(huán)路要*小;
另外二大重要環(huán)路,一是MOS管開(kāi)通環(huán)路(虛線(xiàn)紅**),另一個(gè)是MOS管關(guān)斷環(huán)路(實(shí)線(xiàn)紅**);環(huán)路面積盡可能小。
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14、磁環(huán)在EMC中妙用
有的產(chǎn)品EMC很難在源頭上去處理的,可以采用磁環(huán)濾波,當然我這里說(shuō)的磁環(huán)有二個(gè)層面的意思,一方面是輸入輸出端的濾波電感,采用不同材質(zhì)磁環(huán),不同匝數會(huì )有對應的效果,還有一方面意思是直接在輸入輸出線(xiàn)上套磁環(huán),有時(shí)能起到妙用,但不是在所有場(chǎng)合都能用,起碼還是能作為判斷依據。
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上圖藍色和黑色線(xiàn)是輸出正負端,上面套了個(gè)磁環(huán),解決了輸出整流管引起的高頻端超出;有些時(shí)候端口的干擾在PCB板上加濾波器未必有效果,在輸出線(xiàn)上放磁環(huán)就有想不到的效果。
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15、PCB走線(xiàn)之關(guān)鍵信號
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注意:
1.CS信號(采樣信號):從采樣電阻R25,R26拉出,注意IC的地線(xiàn)以采樣電阻為基準,采樣電阻的正負差分走線(xiàn)拉倒IC CS腳以及IC 的GND腳。
2.驅動(dòng)信號從驅動(dòng)電路拉倒IC驅動(dòng)引腳,注意不要干擾到CS腳;如圖走線(xiàn)三根線(xiàn)并排走,并且將地線(xiàn)走在驅動(dòng)先和CS線(xiàn)中間起到一定屏蔽作用;
3.雙面板*好將IC一層鋪地屏蔽,鋪地的網(wǎng)絡(luò )一定要從IC GND引出,非關(guān)鍵信號GND可直接打過(guò)孔,關(guān)鍵信號地需要單點(diǎn)接地,直接接IC;
4.FB反饋網(wǎng)絡(luò )信號注意查分走線(xiàn)并且單點(diǎn)接IC;
5.RCD吸收網(wǎng)絡(luò )不要放在主回路;
6.VCC的整流濾波地需要接主功率地,二級濾波可接IC 地;
7.Y電容走線(xiàn)單獨接,不可與主功率混淆,避免干擾;
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16、主功率及控制部分地接線(xiàn)示意圖
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可能很多人看到此圖,云里霧里的,大致介紹下:
PFC的驅動(dòng)和IC共地接PFC管,更具體點(diǎn)是接采樣電阻的地;
DC-DC部分的驅動(dòng)地和控制地接DC開(kāi)關(guān)管部分的采樣地;
輔助源部分控制地接輔助源MOS管采樣第,MOS管地再接主功率地;
各自IC的供電地通過(guò)輔助源EC濾波接IC地,注意RC濾波靠近IC;
總結:注意好各自的單點(diǎn)接地,地線(xiàn)不亂,是走線(xiàn)*重要的地方之一!!!
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